「Flash Memory Summit 2009」の最終日午前には、次世代半導体メモリ技術に関するプレナリセッションが開かれた。新しいアイデアに基づくメモリ素子を開発中あるいは製品化したベンチャー企業が、各自のメモリ技術の最新状況を説明するというセッションだっ ...

上海の復旦大学に所属する研究チームが、フラッシュメモリのデータ読み書き性能をピコ秒(1兆分の1秒)レベルまで高めたメモリデバイスを開発しました。「PoX」と名付けられたデバイスは400ピコ秒でのスイッチングが可能となっており、従来の世界記録を ...

キオクシアとWestern Digital(以降はWDと表記)は、共同で開発した超高速3D NANDフラッシュメモリ技術「XL-FLASH」の概要を半導体回路技術の国際学会ISSCC 2020(2020年2月16日～20日に米国サンフランシスコで開催)で2020年2月18日に公表した(講演番号13.5)。 3D NANDフラッシュ ...